三星电子首创45nm嵌入式闪存工艺用于智能卡芯片

　　三星电子成功开发业界首款45nm嵌入式闪存(Embedded Flash或eFlash, 内置型闪存)工艺以及采用此工艺的智能卡芯片。

　　嵌入式闪存工艺是在控制和处理数据的系统半导体电路中，实现闪存电路的数据存储，可提高集成度和电力效率，适用于家电，移动设备，汽车等多个领域的产品应用。

　　与现有的80nm工艺产品相比，此次成功开发的45nm智能卡IC具有更高的效率，耗电量减少25%，且随机读取时间(Random Access Time)缩短50%。

　　值得一提的是，闪存的每个存储单元(Cell)最少可进行100万次擦写循环(Endurance cycle)，确保其业内最高可靠性，目前商用化内部测试已完成。

　　在完成设计工艺的优化和权威机构的保密性测试后，三星电子预计明年下半年量产基于45nm嵌入式闪存工艺的智能卡芯片。

　　三星电子还计划利用此次开发的45nm嵌入式闪存工艺技术，向家电和车用MCU(Micro Controller Unit)产品领域的制造厂/ASIC（Application Specific Integrated Circuit）客户提供具有竞争力的解决方案。

　　三星电子系统LSI事业部金泰勋常务表示：“期待此次开发的45nm嵌入式闪存工艺可用于智能卡，NFC(Near Field Communication)等多种安全解决方案和移动产品上。”他还指出，“今后我们将在多种产品领域率先应用高端工艺，巩固自身综合移动解决方案供应商的地位。”